MPX2102D vs MPX2010D مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPX2102D بواسطة NXP Semiconductors و MPX2010D بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل MPX2102D MPX2010D
العلامة التجارية NXP Semiconductors STMicroelectronics
الفئة Pressure Sensors Pressure Sensors
حالة دورة الحياة Obsolete نشط
Operating Pressure 14.5 PSI (100 kPa) —
Pressure Type Differential Differential (Port 1 vs Port 2)
نوع الخرج Wheatstone Bridge (Analog Voltage) Analog Wheatstone Bridge (mV)
جهد الخرج 0 mV to 40 mV (at 10 V supply) —
جهد التغذية 10 V typical —
العلبة / الحالة 4-SIP Module 4-SIP Module (Case 344-15)
Port Size Female, 0.136 in (3.4544 mm) —
Termination Style Through-Hole PCB —
نوع التركيب Through Hole Through-Hole
Applications Board Mount —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C (per NXP MPX2102 series datasheet) —
Compensated Temperature 0 C to +85 C —
Housing / Body Style Unibody Plastic (Round) —
Technology Piezoresistive Silicon MEMS —
Series MPX2102 —
Packaging Tray —
Product Status Obsolete (per distributor listings) —
Operating Pressure Range — 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI)
Maximum Overpressure — [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating]
Output Voltage Span — 0 mV to 25 mV at 10V excitation
Sensitivity — 2.5 mV/kPa (nominal, at 10V excitation)
Excitation Voltage — 10 V (typical), 16 V (maximum)
Linearity — 0.1% of full-scale (typical)
نطاق درجة حرارة التشغيل — 0 C to +85 C
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
عدد الدبابيس — 4
On-Chip Temperature Compensation — Yes (laser trimmed)
Bridge Configuration — 4-arm piezoresistive Wheatstone
حالة RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status from ST datasheet]
Sensor Family — MPX2010 / MPXV2010G / MPXM2010
Diaphragm Type — Single monolithic silicon

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر