MPX2102D vs MPX2010D השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של MPX2102D מאת NXP Semiconductors ו MPX2010D מאת STMicroelectronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר MPX2102D MPX2010D
מותג NXP Semiconductors STMicroelectronics
קטגוריה Pressure Sensors Pressure Sensors
סטטוס מחזור חיים Obsolete פעיל
Operating Pressure 14.5 PSI (100 kPa) —
Pressure Type Differential Differential (Port 1 vs Port 2)
סוג פלט Wheatstone Bridge (Analog Voltage) Analog Wheatstone Bridge (mV)
מתח פלט 0 mV to 40 mV (at 10 V supply) —
מתח אספקה 10 V typical —
מארז / Case 4-SIP Module 4-SIP Module (Case 344-15)
Port Size Female, 0.136 in (3.4544 mm) —
Termination Style Through-Hole PCB —
סוג הרכבה Through Hole Through-Hole
Applications Board Mount —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C (per NXP MPX2102 series datasheet) —
Compensated Temperature 0 C to +85 C —
Housing / Body Style Unibody Plastic (Round) —
Technology Piezoresistive Silicon MEMS —
Series MPX2102 —
Packaging Tray —
Product Status Obsolete (per distributor listings) —
Operating Pressure Range — 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI)
Maximum Overpressure — [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating]
Output Voltage Span — 0 mV to 25 mV at 10V excitation
Sensitivity — 2.5 mV/kPa (nominal, at 10V excitation)
Excitation Voltage — 10 V (typical), 16 V (maximum)
Linearity — 0.1% of full-scale (typical)
טווח טמפרטורת פעולה — 0 C to +85 C
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
מספר פינים — 4
On-Chip Temperature Compensation — Yes (laser trimmed)
Bridge Configuration — 4-arm piezoresistive Wheatstone
סטטוס RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status from ST datasheet]
Sensor Family — MPX2010 / MPXV2010G / MPXM2010
Diaphragm Type — Single monolithic silicon

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר