MPXV5010GC6T1 vs MPXV5010DP مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPXV5010GC6T1 بواسطة NXP Semiconductors و MPXV5010DP بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MPXV5010GC6T1 | MPXV5010DP |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | NXP Semiconductors | — |
| Pressure Type | Vented Gauge | Differential |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI) | 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overload Pressure | [DATA_NEEDED: max overload pressure] | [DATA_NEEDED: maximum overload] |
| نوع الخرج | Analog Voltage, Ratiometric | Analog, Ratiometric |
| نطاق جهد الخرج | 0.2 V to 4.7 V (at VCC = 5 V) | 0.2 V to 4.7 V |
| Supply Voltage (VCC) | 4.75 V to 5.25 V | — |
| تيار التغذية | [DATA_NEEDED: typical supply current] | — |
| Pressure Port | Top-port male 0.13" (3.17 mm) tube | — |
| العلبة | 8-SO (Small Outline), Gull-Wing SMD | 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to +85 C | -40 C to +125 C |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature range] | — |
| Linearity | 1.0 % typical (over 0 kPa to 10 kPa) | — |
| Temperature Compensation | On-chip, 0 C to +85 C | — |
| Signal Conditioning | On-chip ASIC, calibrated | — |
| Media Compatibility | Air and non-corrosive gases | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| جهد التغذية | — | 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V) |
| Accuracy | — | 5 % (over 0 C to 85 C) |
| Response Time | — | 1 ms typical |
| Compensated Temperature | — | 0 C to 85 C |
| Port Style | — | Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side |
| Technology | — | Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned |