MPXV5010GC6T1 vs MPXV5010DP השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MPXV5010GC6T1 מאת NXP Semiconductors ו MPXV5010DP מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | MPXV5010GC6T1 | MPXV5010DP |
|---|---|---|
| מותג | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| קטגוריה | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | NXP Semiconductors | — |
| Pressure Type | Vented Gauge | Differential |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI) | 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overload Pressure | [DATA_NEEDED: max overload pressure] | [DATA_NEEDED: maximum overload] |
| סוג פלט | Analog Voltage, Ratiometric | Analog, Ratiometric |
| טווח מתח פלט | 0.2 V to 4.7 V (at VCC = 5 V) | 0.2 V to 4.7 V |
| Supply Voltage (VCC) | 4.75 V to 5.25 V | — |
| זרם אספקה | [DATA_NEEDED: typical supply current] | — |
| Pressure Port | Top-port male 0.13" (3.17 mm) tube | — |
| מארז | 8-SO (Small Outline), Gull-Wing SMD | 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0 C to +85 C | -40 C to +125 C |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature range] | — |
| Linearity | 1.0 % typical (over 0 kPa to 10 kPa) | — |
| Temperature Compensation | On-chip, 0 C to +85 C | — |
| Signal Conditioning | On-chip ASIC, calibrated | — |
| Media Compatibility | Air and non-corrosive gases | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| מתח אספקה | — | 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V) |
| Accuracy | — | 5 % (over 0 C to 85 C) |
| Response Time | — | 1 ms typical |
| Compensated Temperature | — | 0 C to 85 C |
| Port Style | — | Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side |
| Technology | — | Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned |