MPXV5010GP vs MPXV5010DP مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPXV5010GP بواسطة STMicroelectronics و MPXV5010DP بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MPXV5010DP MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MPXV5010GP MPXV5010DP
العلامة التجارية STMicroelectronics NXP Semiconductors
الفئة Pressure Sensors Pressure Sensors
حالة دورة الحياة نشط نشط
Pressure Type Vented Gauge Differential
Pressure Range 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI) —
Operating Pressure Max 10 kPa —
نوع الخرج Analog Voltage Analog, Ratiometric
جهد الخرج 0.2 V to 4.7 V —
جهد التغذية 5 V 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V)
تيار التغذية 5 mA typical —
Sensitivity 450 mV/kPa (approx, 0.2-4.7 V span) —
Accuracy [DATA_NEEDED: accuracy %FS] 5 % (over 0 C to 85 C)
درجة حرارة التشغيل 0 C to +85 C -40 C to +125 C
Port Style Male - 3.17 mm (0.13 in) Tube, Side Port Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side
العلبة 8-SMD, Gull Wing, Side Port 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Sensor Technology Piezoresistive (MEMS silicon) —
Signal Conditioning On-chip, temperature compensated, calibrated —
Output Ratiometric Yes (output scales with VDD) —
Operating Pressure Range — 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Maximum Overload Pressure — [DATA_NEEDED: maximum overload]
نطاق جهد الخرج — 0.2 V to 4.7 V
Response Time — 1 ms typical
Compensated Temperature — 0 C to 85 C
Technology — Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر