MPXV5010GP vs MPXV5010DP तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MPXV5010GP द्वारा STMicroelectronics और MPXV5010DP द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

STMicroelectronics
MPXV5010GP MPXV5010GP - 0-10 kPa Vented Gauge Pressure Sensor, 8-SMD | STMicroelectronics

MPXV5010GP - 0-10 kPa Vented Gauge Pressure Sensor, 8-SMD | STMicroelectronics

MPXV5010GP ✓ सक्रिय
NXP Semiconductors
MPXV5010DP MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MPXV5010GP MPXV5010DP
ब्रांड STMicroelectronics NXP Semiconductors
श्रेणी Pressure Sensors Pressure Sensors
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Pressure Type Vented Gauge Differential
Pressure Range 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI) —
Operating Pressure Max 10 kPa —
आउटपुट प्रकार Analog Voltage Analog, Ratiometric
आउटपुट वोल्टेज 0.2 V to 4.7 V —
सप्लाई वोल्टेज 5 V 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V)
सप्लाई करंट 5 mA typical —
Sensitivity 450 mV/kPa (approx, 0.2-4.7 V span) —
Accuracy [DATA_NEEDED: accuracy %FS] 5 % (over 0 C to 85 C)
ऑपरेटिंग तापमान 0 C to +85 C -40 C to +125 C
Port Style Male - 3.17 mm (0.13 in) Tube, Side Port Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side
पैकेज 8-SMD, Gull Wing, Side Port 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Sensor Technology Piezoresistive (MEMS silicon) —
Signal Conditioning On-chip, temperature compensated, calibrated —
Output Ratiometric Yes (output scales with VDD) —
Operating Pressure Range — 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Maximum Overload Pressure — [DATA_NEEDED: maximum overload]
आउटपुट वोल्टेज रेंज — 0.2 V to 4.7 V
Response Time — 1 ms typical
Compensated Temperature — 0 C to 85 C
Technology — Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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