MPXV5010GP vs MPXV5010DP Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MPXV5010GP von STMicroelectronics und MPXV5010DP von NXP Semiconductors. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

NXP Semiconductors
MPXV5010DP MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MPXV5010GP MPXV5010DP
Marke STMicroelectronics NXP Semiconductors
Kategorie Pressure Sensors Pressure Sensors
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,95 $8,10
Pressure Type Vented Gauge Differential
Pressure Range 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI) —
Operating Pressure Max 10 kPa —
Ausgangstyp Analog Voltage Analog, Ratiometric
Ausgangsspannung 0.2 V to 4.7 V —
Versorgungsspannung 5 V 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V)
Versorgungsstrom 5 mA typical —
Sensitivity 450 mV/kPa (approx, 0.2-4.7 V span) —
Accuracy [DATA_NEEDED: accuracy %FS] 5 % (over 0 C to 85 C)
Betriebstemperatur 0 C to +85 C -40 C to +125 C
Port Style Male - 3.17 mm (0.13 in) Tube, Side Port Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side
Gehäuse 8-SMD, Gull Wing, Side Port 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports
Montageart Surface Mount Surface Mount
Sensor Technology Piezoresistive (MEMS silicon) —
Signal Conditioning On-chip, temperature compensated, calibrated —
Output Ratiometric Yes (output scales with VDD) —
Operating Pressure Range — 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Maximum Overload Pressure — [DATA_NEEDED: maximum overload]
Ausgangsspannungsbereich — 0.2 V to 4.7 V
Response Time — 1 ms typical
Compensated Temperature — 0 C to 85 C
Technology — Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned
RoHS-Status — Compliant

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