MRF8S9102NR3 vs MRF8S9202NR3 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRF8S9102NR3 بواسطة NXP Semiconductors و MRF8S9202NR3 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MRF8S9102NR3 | MRF8S9202NR3 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Part Family | MRF8S9102N / HV8 series | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel Lateral Enhancement-Mode MOSFET | N-Channel Lateral MOSFET |
| Application | RF Power Amplifier, W-CDMA base station | — |
| Operating Frequency Range | 865 MHz to 960 MHz | — |
| Test Frequency | 920 MHz | 920 MHz |
| Drain-Source Operating Voltage (VDS) | 28 V (typical test condition) | — |
| Drain-Source Breakdown Voltage (VDSS) | 70 V (max) | — |
| Average Output Power (POUT) | 28 W | — |
| Drain Current (ID) at bias | 750 mA | — |
| Power Gain (Gp) | 23.1 dB | — |
| Modulation Format | Single W-CDMA (also Class AB/C capable) | — |
| العلبة | OM-780-2 (3-pin ceramic, flange mount) | — |
| نوع التركيب | Chassis / flange mount with bolt-down thermal pad | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: rohs compliance] | Compliant |
| Operating Mode | Class AB or Class C | Class AB and Class C |
| Part Status | — | Active |
| Configuration | — | Single |
| Frequency Range | — | 920 MHz to 960 MHz |
| Output Power (W-CDMA Average) | — | 58 W |
| Power Gain (typ) | — | 19 dB at 920 MHz |
| Drain Supply Voltage (VDD) | — | 28 V |
| Quiescent Drain Current (IDQ) | — | 1300 mA |
| Drain Current (operating) | — | 1.3 A |
| Min Drain-Source Breakdown Voltage | — | 70 V |
| العلبة / الحالة | — | OM-780-2 (ceramic air-cavity) |
| Modulation Support | — | Single W-CDMA, CDMA, GSM/EDGE |