MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G8NCJR-RDC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A1G8AG-062E بواسطة Micron Technology و H5AN8G8NCJR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT40A1G8AG-062E | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 1G x 8 | x8 |
| الواجهة | Parallel | DDR4 (JEDEC standard) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) | — |
| Clock Cycle Time | 19 ns class (-062E speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| العلبة | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Temperature Grade | Automotive (AUT) | — |
| Access Time (CAS Latency class) | DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4 bank groups) | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| CA Parity | Supported (DDR4 command/address parity) | — |
| Packaging Option | Tape and Reel (TR / :R suffix) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Density | — | 8 Gb (1 GB) |
| معدل البيانات | — | up to 2666 Mbps |
| جهد التغذية | — | 1.2 V (VDD) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |