MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G8NCJR-RDC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A1G8AG-062E بذریعہ Micron Technology اور H5AN8G8NCJR-RDC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MT40A1G8AG-062E H5AN8G8NCJR-RDC
برانڈ Micron Technology SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit —
تنظیم 1G x 8 x8
انٹرفیس Parallel DDR4 (JEDEC standard)
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) —
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
پیکیج 78-FBGA (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 8 Gb (1 GB)
ڈیٹا ریٹ — up to 2666 Mbps
سپلائی وولٹیج — 1.2 V (VDD)
Bank Architecture — 4 bank groups x 4 banks
Burst Length — BL8
آپریٹنگ درجہ حرارت — [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix]
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade]
Generation — C-die family (NCJR)
Lead Free — Yes
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں