MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG8NCMR-VKI مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A2G8AG-062E بواسطة Micron Technology و H5ANAG8NCMR-VKI بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT40A2G8AG-062E | H5ANAG8NCMR-VKI |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| التنظيم | 2G x 8 | — |
| Speed | DDR4-3200 (3200 MT/s) | — |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | 0.625 ns (tCK) | — |
| زمن الوصول CAS | CL22 (DDR4-3200) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| I/O Interface | POD12 (1.2 V pseudo-open drain) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Operating Temperature (AUT grade) | -40C to +95C (per Micron grade table) | — |
| العلبة | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Die Revision | AG (current generation) | — |
| حجم الذاكرة | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | x8 |
| معدل البيانات | — | 2666 Mbps per pin |
| Technology | — | CMOS, volatile DRAM |
| Supply Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD] |
| Package Type | — | [DATA_NEEDED: package] |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh (tREFI) | — | [DATA_NEEDED: refresh interval] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Product Status | — | Active |
| Clocking | — | Differential clock (CK / CK#), fully synchronous |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |