MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG8NCMR-VKI موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A2G8AG-062E بذریعہ Micron Technology اور H5ANAG8NCMR-VKI بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ فعال
SK hynix
H5ANAG8NCMR-VKI H5ANAG8NCMR-VKI - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x8 | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-VKI - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x8 | SK Hynix

H5ANAG8NCMR-VKI ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MT40A2G8AG-062E H5ANAG8NCMR-VKI
برانڈ Micron Technology SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
تنظیم 2G x 8 —
Speed DDR4-3200 (3200 MT/s) —
Clock Frequency 1600 MHz —
Access Time (Clock Cycle Time) 0.625 ns (tCK) —
CAS لیٹنسی CL22 (DDR4-3200) —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
I/O Interface POD12 (1.2 V pseudo-open drain) —
VPP Voltage 2.5 V —
Number of Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Operating Temperature (AUT grade) -40C to +95C (per Micron grade table) —
پیکیج 78-FBGA (7.5 x 11 mm) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (BGA)
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Die Revision AG (current generation) —
میموری سائز — 16 Gb
Memory Organization — x8
ڈیٹا ریٹ — 2666 Mbps per pin
Technology — CMOS, volatile DRAM
Supply Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD]
Package Type — [DATA_NEEDED: package]
آپریٹنگ درجہ حرارت — [DATA_NEEDED: operating temperature]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh (tREFI) — [DATA_NEEDED: refresh interval]
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank group count]
Product Status — Active
Clocking — Differential clock (CK / CK#), fully synchronous
On-Die Termination — Yes (ODT)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں