MT40A512M16JY-07EAIT:B vs AS4C512M16D4A-62BCN مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A512M16JY-07EAIT:B بواسطة Micron Technology و AS4C512M16D4A-62BCN بواسطة Alliance Memory. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ نشط
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT40A512M16JY-07EAIT:B AS4C512M16D4A-62BCN
العلامة التجارية Micron Technology Alliance Memory
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
حجم الذاكرة 8 Gbit 8 Gbit
التنظيم 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
معدل البيانات 2666 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
الواجهة Parallel POD (Pseudo Open Drain)
العلبة 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13 mm)
نطاق درجة حرارة التشغيل -40°C to +105°C (AIT grade) —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant —
جهد التغذية — 1.2 V
زمن الوصول CAS — 18 ns
درجة حرارة التشغيل — 0°C to 95°C
نوع التركيب — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
حالة RoHS — Compliant
Packaging — Tray

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر