MT40A512M16JY-07EAIT:B vs AS4C512M16D4A-62BCN Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT40A512M16JY-07EAIT:B tarafından Micron Technology ve AS4C512M16D4A-62BCN tarafından Alliance MemoryAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Aktif
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre MT40A512M16JY-07EAIT:B AS4C512M16D4A-62BCN
Marka Micron Technology Alliance Memory
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 8 Gbit 8 Gbit
Organizasyon 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
Veri Hızı 2666 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
Arayüz Parallel POD (Pseudo Open Drain)
Paket 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13 mm)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40°C to +105°C (AIT grade) —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant —
Besleme Gerilimi — 1.2 V
CAS Gecikme — 18 ns
İşletim Sıcaklığı — 0°C to 95°C
Montaj Türü — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
RoHS Durumu — Compliant
Packaging — Tray

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin