MT40A512M16JY-07EAIT:B vs AS4C512M16D4A-62BCN Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci MT40A512M16JY-07EAIT:B disebabkan oleh Micron Technology dan AS4C512M16D4A-62BCN disebabkan oleh Alliance Memory. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Aktif
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr MT40A512M16JY-07EAIT:B AS4C512M16D4A-62BCN
Merek Micron Technology Alliance Memory
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Saiz Ingatan 8 Gbit 8 Gbit
Organisasi 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
Kadar Data 2666 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
Antaramuka Parallel POD (Pseudo Open Drain)
Kemasan 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Gambaran Suhu Operasi -40°C to +105°C (AIT grade) —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant —
Tegangan Pemberi Arus — 1.2 V
Latensi CAS — 18 ns
Suhu Operasi — 0°C to 95°C
Jenis Pemasangan — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
Status RoHS — Compliant
Packaging — Tray

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga