MT40A512M16TB-062E:R vs AS4C512M16D4B-62BCNTR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A512M16TB-062E:R بواسطة Micron Technology و AS4C512M16D4B-62BCNTR بواسطة Alliance Memory. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ نشط
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT40A512M16TB-062E:R AS4C512M16D4B-62BCNTR
العلامة التجارية Micron Technology Alliance Memory
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون In Stock —
سعر الوحدة (USD) $60.00 —
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
حجم الذاكرة 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit (512M x 16)
معدل البيانات 3200 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz 1600 MHz
زمن الوصول CAS 22 19 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
درجة حرارة التشغيل 0°C to +95°C 0°C to 95°C
العلبة 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
الواجهة Parallel Parallel
عرض ناقل البيانات 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
الميزات Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
حالة RoHS Compliant Compliant
جهد التغذية — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
نوع التركيب — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
التنظيم — 512M x 16
Revision — Rev.B
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر