MT40A512M16TB-062E:R vs MT40A512M16TB-062E:J مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A512M16TB-062E:R بواسطة Micron Technology و MT40A512M16TB-062E:J بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT40A512M16TB-062E:R | MT40A512M16TB-062E:J |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $60.00 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit (512M x 16) | 8Gbit (512M x 16) |
| معدل البيانات | 3200 MT/s | — |
| Clock Frequency | 1600 MHz | 1.6 GHz |
| زمن الوصول CAS | 22 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C | — |
| العلبة | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) |
| الواجهة | Parallel | — |
| عرض ناقل البيانات | 16 bits | — |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| الميزات | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Access Time | — | 19 ns |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Internal Banks (x16) | — | 8 (2 groups of 4 banks each) |
| Prefetch Architecture | — | 8n-bit |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to 95°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |