MT40A512M16TB-062E:R vs MT40A512M16TB-062E:J השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של MT40A512M16TB-062E:R מאת Micron Technology ו MT40A512M16TB-062E:J מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ פעיל
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:J
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי In Stock —
מחיר ליחידה (USD) $60.00 —
סוג זיכרון DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
גודל זיכרון 8 Gbit (512M x 16) 8Gbit (512M x 16)
קצב נתונים 3200 MT/s —
Clock Frequency 1600 MHz 1.6 GHz
השהיית CAS 22 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2V ±60mV
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
טמפרטורת פעולה 0°C to +95°C —
מארז 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
ממשק Parallel —
רוחב אפיק נתונים 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
תכונות Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Access Time — 19 ns
VPP Supply Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks each)
Prefetch Architecture — 8n-bit
טווח טמפרטורת פעולה — 0°C to 95°C
Lead-Free — Yes
סוג הרכבה — Surface Mount

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר