MT41K256M16HA-107:E vs H5TQ4G63AFR-H9C مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16HA-107:E بواسطة Micron Technology و H5TQ4G63AFR-H9C بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT41K256M16HA-107:E | H5TQ4G63AFR-H9C |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $6.50 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| جهد التغذية | 1.35V | 1.5 V |
| العلبة | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball TFBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| معدل البيانات | 1866 MT/s | 3.9 Gbps per pin (approx) |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| زمن الوصول CAS | 13 (typical) | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Speed (tCK) | — | 0.255 ns |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER |
| RoHS | — | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |