MT41K256M16HA-107:E vs H5TQ4G63AFR-H9C Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16HA-107:E par Micron Technology et H5TQ4G63AFR-H9C par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16HA-107:E | H5TQ4G63AFR-H9C |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,00 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.5 V |
| Boîtier | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball TFBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Débit de données | 1866 MT/s | 3.9 Gbps per pin (approx) |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latence CAS | 13 (typical) | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Speed (tCK) | — | 0.255 ns |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER |
| RoHS | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |