MT41K256M16HA-107:E vs H5TQ4G63AFR-H9C Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-107:E por Micron Technology y H5TQ4G63AFR-H9C por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16HA-107:E | H5TQ4G63AFR-H9C |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,00 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.5 V |
| Encapsulado | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball TFBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Velocidad de datos | 1866 MT/s | 3.9 Gbps per pin (approx) |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Número de pines | 96 | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latencia CAS | 13 (typical) | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Speed (tCK) | — | 0.255 ns |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER |
| RoHS | — | Compliant |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |