MT41K256M16HA-107:E vs H5TQ4G63AFR-H9C Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16HA-107:E por Micron Technology e H5TQ4G63AFR-H9C por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E ✓ Ativo
SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT41K256M16HA-107:E H5TQ4G63AFR-H9C
Marca Micron Technology SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,00 $6,50
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
Tamanho da memória 4Gbit (256M x 16) —
Clock Frequency 933 MHz —
Access Time 20 ns —
Tensão de alimentação 1.35V 1.5 V
Encapsulamento 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball TFBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação 0°C to 95°C (Tc) —
Interface Parallel —
Taxa de dados 1866 MT/s 3.9 Gbps per pin (approx)
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Número de pinos 96 —
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Latência CAS 13 (typical) —
Density — 4 Gb
Clock Speed (tCK) — 0.255 ns
Package Shape — RECTANGULAR
Refresh Cycles — 8192
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER
RoHS — Compliant
Livre de halogênio — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

Fichas técnicas e recursos

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