MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16RE-15E:D مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16HA-125:E بواسطة Micron Technology و MT41K256M16RE-15E:D بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ نشط
Micron Technology
MT41K256M16RE-15E:D MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-15E:D ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16RE-15E:D
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gbit —
التنظيم 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
زمن الوصول CAS 13.75 ns 11 (typical)
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
العلبة 96-FBGA (9x14 mm) 96-FBGA (10x14 mm)
عدد الدبابيس 96 96
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل 0°C to +95°C (TC) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
عرض ناقل البيانات 16 bits —
Logic Family CMOS —
حجم الذاكرة — 4Gb (256M x 16)
معدل البيانات — 667 MHz (DDR3L-1333)
Access Time — 13.5 ns
جهد التغذية — 1.283 V to 1.45 V (nominal 1.35 V)
درجة حرارة التشغيل — -40°C to 95°C (TC)
الواجهة — Parallel
Burst Length — 8, 4

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر