MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16RE-15E:D तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16HA-125:E द्वारा Micron Technology और MT41K256M16RE-15E:D द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ सक्रिय
Micron Technology
MT41K256M16RE-15E:D MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-15E:D ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16RE-15E:D
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gbit —
संगठन 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
CAS लेटेंसी 13.75 ns 11 (typical)
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
पैकेज 96-FBGA (9x14 mm) 96-FBGA (10x14 mm)
पिन की संख्या 96 96
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज 0°C to +95°C (TC) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
डेटा बस चौड़ाई 16 bits —
Logic Family CMOS —
मेमोरी आकार — 4Gb (256M x 16)
डेटा दर — 667 MHz (DDR3L-1333)
Access Time — 13.5 ns
सप्लाई वोल्टेज — 1.283 V to 1.45 V (nominal 1.35 V)
ऑपरेटिंग तापमान — -40°C to 95°C (TC)
इंटरफ़ेस — Parallel
Burst Length — 8, 4

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध