N25Q032A13EF4A0F vs M25P80-VMN3PB مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ N25Q032A13EF4A0F بواسطة Micron Technology و M25P80-VMN3PB بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
N25Q032A13EF4A0F N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F ✓ نشط
Micron Technology
M25P80-VMN3PB M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB ✗ انتهى عمره الإنتاجي

مقارنة المواصفات

المعامل N25Q032A13EF4A0F M25P80-VMN3PB
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs EEPROM
حالة دورة الحياة نشط نهاية العمر الإنتاجي
نوع الذاكرة FLASH - NOR Memory IC (Serial) FLASH - NOR Memory IC
حجم الذاكرة 32 Mbit (4 MB) 8 Mbit (1M x 8)
الواجهة SPI (Multi-I/O) SPI
Clock Frequency 108 MHz —
جهد التغذية 3 V (2.7 V to 3.6 V) 2.7 V to 3.6 V
العلبة 8-UFDFPN (MLP8) 4 x 3 mm 8-SO (SOIC-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Read Modes Standard, Dual, Quad SPI —
Erase Granularity 4 KB subsector / 64 KB sector —
Grade Automotive —
Write Cycle Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Time [DATA_NEEDED: access time] 8 ns
Program/Erase Speed [DATA_NEEDED: page program time] —
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tape & Reel (T&R) —
أقصى تردد للساعة — 75 MHz
Page Program Time — 0.64 ms typ (up to 256 bytes)
التنظيم — 1M x 8 bit
Erase Capability — Sector erase and bulk erase
Write Protect — Hardware write protect (W pin)
Hold Function — Yes (HOLD pin)
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر