N25Q032A13EF4A0F vs M25P80-VMN3PB तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना N25Q032A13EF4A0F द्वारा Micron Technology और M25P80-VMN3PB द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
N25Q032A13EF4A0F N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F ✓ सक्रिय
Micron Technology
M25P80-VMN3PB M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB ✗ जीवन की समाप्ति

विशेषता तुलना

पैरामीटर N25Q032A13EF4A0F M25P80-VMN3PB
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs EEPROM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय उत्पादन बंद
मेमोरी प्रकार FLASH - NOR Memory IC (Serial) FLASH - NOR Memory IC
मेमोरी आकार 32 Mbit (4 MB) 8 Mbit (1M x 8)
इंटरफ़ेस SPI (Multi-I/O) SPI
Clock Frequency 108 MHz —
सप्लाई वोल्टेज 3 V (2.7 V to 3.6 V) 2.7 V to 3.6 V
पैकेज 8-UFDFPN (MLP8) 4 x 3 mm 8-SO (SOIC-8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Read Modes Standard, Dual, Quad SPI —
Erase Granularity 4 KB subsector / 64 KB sector —
Grade Automotive —
Write Cycle Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Time [DATA_NEEDED: access time] 8 ns
Program/Erase Speed [DATA_NEEDED: page program time] —
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tape & Reel (T&R) —
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी — 75 MHz
Page Program Time — 0.64 ms typ (up to 256 bytes)
संगठन — 1M x 8 bit
Erase Capability — Sector erase and bulk erase
Write Protect — Hardware write protect (W pin)
Hold Function — Yes (HOLD pin)
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

डेटाशीट और संसाधन

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