N25Q032A13EF4A0F vs M25P80-VMN3PB مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار N25Q032A13EF4A0F توسط Micron Technology و M25P80-VMN3PB توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
N25Q032A13EF4A0F N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F - 32Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EF4A0F ✓ فعال
Micron Technology
M25P80-VMN3PB M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB ✗ پایان تولید

مقایسه مشخصات

پارامتر N25Q032A13EF4A0F M25P80-VMN3PB
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs EEPROM
وضعیت چرخه عمر فعال پایان عمر محصول
نوع حافظه FLASH - NOR Memory IC (Serial) FLASH - NOR Memory IC
اندازه حافظه 32 Mbit (4 MB) 8 Mbit (1M x 8)
رابط SPI (Multi-I/O) SPI
Clock Frequency 108 MHz —
ولتاژ تغذیه 3 V (2.7 V to 3.6 V) 2.7 V to 3.6 V
بسته‌بندی 8-UFDFPN (MLP8) 4 x 3 mm 8-SO (SOIC-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Read Modes Standard, Dual, Quad SPI —
Erase Granularity 4 KB subsector / 64 KB sector —
Grade Automotive —
Write Cycle Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
دمای کاری [DATA_NEEDED: temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Time [DATA_NEEDED: access time] 8 ns
Program/Erase Speed [DATA_NEEDED: page program time] —
وضعیت RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tape & Reel (T&R) —
حداکثر فرکانس کلاک — 75 MHz
Page Program Time — 0.64 ms typ (up to 256 bytes)
سازمان — 1M x 8 bit
Erase Capability — Sector erase and bulk erase
Write Protect — Hardware write protect (W pin)
Hold Function — Yes (HOLD pin)
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت