N25Q512A83G12A0F vs N25Q512A83GSFA0F مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ N25Q512A83G12A0F بواسطة Micron Technology و N25Q512A83GSFA0F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
N25Q512A83G12A0F N25Q512A83G12A0F - 512Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q512A83G12A0F - 512Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q512A83G12A0F ✓ نشط
Micron Technology
N25Q512A83GSFA0F N25Q512A83GSFA0F - 512Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q512A83GSFA0F - 512Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q512A83GSFA0F ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل N25Q512A83G12A0F N25Q512A83GSFA0F
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة Flash - NOR Memory IC FLASH - NOR (Serial SPI)
Memory Capacity 512 Mbit (64 MB) —
التنظيم 128M x 4 128M x 4
الواجهة SPI - Multiple I/O (Standard/Dual/Quad) SPI - Multiple I/O
Clock Frequency 108 MHz —
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V (3V class) 2.7 V to 3.6 V
Cell Type SLC —
Sector Erase Size 4 KB 4 KB
العلبة 24-T-PBGA (6x8 mm) 16-SO (SOIC DDP)
Package Structure Dual-Die Package (DDP) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Program/Erase Protection Software and hardware write protection —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: active read current] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
حجم الذاكرة — 512Mb (128M x 4)
Technology — SLC NOR Flash
Max Clock Frequency — 108 MHz
Write Cycle Time - Word, Page — 8 ms, 5 ms
Memory Format — FLASH
Non-Volatile Category — Non-Volatile Memory
Package Body Size — [DATA_NEEDED: package body dimensions]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر