N25Q512A83G12A0F vs N25Q512A83GSFA0F तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना N25Q512A83G12A0F द्वारा Micron Technology और N25Q512A83GSFA0F द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
N25Q512A83G12A0F N25Q512A83G12A0F - 512Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q512A83G12A0F - 512Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q512A83G12A0F ✓ सक्रिय
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N25Q512A83GSFA0F N25Q512A83GSFA0F - 512Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

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विशेषता तुलना

पैरामीटर N25Q512A83G12A0F N25Q512A83GSFA0F
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार Flash - NOR Memory IC FLASH - NOR (Serial SPI)
Memory Capacity 512 Mbit (64 MB) —
संगठन 128M x 4 128M x 4
इंटरफ़ेस SPI - Multiple I/O (Standard/Dual/Quad) SPI - Multiple I/O
Clock Frequency 108 MHz —
सप्लाई वोल्टेज 2.7 V to 3.6 V (3V class) 2.7 V to 3.6 V
Cell Type SLC —
Sector Erase Size 4 KB 4 KB
पैकेज 24-T-PBGA (6x8 mm) 16-SO (SOIC DDP)
Package Structure Dual-Die Package (DDP) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Program/Erase Protection Software and hardware write protection —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: active read current] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
मेमोरी आकार — 512Mb (128M x 4)
Technology — SLC NOR Flash
Max Clock Frequency — 108 MHz
Write Cycle Time - Word, Page — 8 ms, 5 ms
Memory Format — FLASH
Non-Volatile Category — Non-Volatile Memory
Package Body Size — [DATA_NEEDED: package body dimensions]

डेटाशीट और संसाधन

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