NT5AD512M16A4-HR vs MT40A512M16JY-075E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5AD512M16A4-HR بواسطة Nanya Technology و MT40A512M16JY-075E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT5AD512M16A4-HR | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps (PC4-25600) | 2666 MT/s |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C | — |
| العلبة | TFBGA-96 | 96-FBGA (8x14) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| الواجهة | — | Parallel |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| الميزات | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |