NT5AD512M16A4-HR vs MT40A512M16JY-075E So sánh

So sánh chi tiết song song của NT5AD512M16A4-HR bằng Nanya Technology và MT40A512M16JY-075E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT5AD512M16A4-HR NT5AD512M16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-HR ✓ Hoạt động
Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT5AD512M16A4-HR MT40A512M16JY-075E
Thương hiệu Nanya Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tổ chức 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb —
Điện áp cung cấp 1.2 V —
Tốc độ dữ liệu 3200 Mbps (PC4-25600) 2666 MT/s
Nhiệt độ hoạt động 0°C to +95°C —
Hộp TFBGA-96 96-FBGA (8x14)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
Kích thước bộ nhớ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.14V to 1.26V
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Giao diện — Parallel
Khoảng nhiệt độ hoạt động — 0°C to +95°C (TC)
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
Trạng thái RoHS — Compliant
Tính năng — Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá