NT5AD512M16A4-HR vs NT5AD512M16A4-GZ مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5AD512M16A4-HR بواسطة Nanya Technology و NT5AD512M16A4-GZ بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT5AD512M16A4-HR | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2V |
| معدل البيانات | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C | — |
| العلبة | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| أقصى تردد للساعة | — | 1200 MHz |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | Commercial and Industrial |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |