NT5AD512M16A4-HR vs NT5AD512M16A4-GZ 比較
詳細並排比較 NT5AD512M16A4-HR 由 Nanya Technology 與 NT5AD512M16A4-GZ 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | NT5AD512M16A4-HR | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Nanya Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 組織 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| 供應電壓 | 1.2 V | 1.2V |
| 資料速率 | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| 工作溫度 | 0°C to +95°C | — |
| 封裝 | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| 最大時脈頻率 | — | 1200 MHz |
| 資料匯流排寬度 | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| 工作溫度範圍 | — | Commercial and Industrial |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |