QPM1002 vs QPM1002SR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ QPM1002 بواسطة Qorvo و QPM1002SR بواسطة Qorvo. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل QPM1002 QPM1002SR
العلامة التجارية Qorvo Qorvo
الفئة RF Modules RF Modules
حالة دورة الحياة نشط نشط
Frequency Range 8.5 GHz to 10.5 GHz 8.5 GHz to 10.5 GHz
Product Type GaN MMIC Front-End Module (T/R Module) —
Integrated Functions T/R switch + LNA + PA —
Rx Small-Signal Gain 25 dB —
Rx Noise Figure 2.2 dB —
Tx Small-Signal Gain 33 dB —
Saturated Output Power (Psat) 3 W —
Power-Added Efficiency (PAE) 32% —
Max ANT Port Input Power 2 W —
Process Technology QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC Qorvo QGaN25 0.25 um GaN-on-SiC
العلبة 5 x 5 mm QFN, over-mold encapsulant, surface mount 5 x 5 mm QFN surface mount, over-mold encapsulant
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
جهد التغذية [DATA_NEEDED: Drain Supply Voltage] [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range]
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Compliance Status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
المقاومة الحرارية [DATA_NEEDED: Theta Jc] —
الوظيفة — GaN T/R Front-End Module (T/R switch + LNA + PA)
Band — X-Band
Receive Gain — 25 dB
Receive Noise Figure — 2.2 dB
Transmit Small-Signal Gain — 33 dB
Saturated Output Power — 3 W
Power Added Efficiency (PAE) — 32%
Die-Attach — High thermal conductivity die-attach process
Primary Application — X-Band phased array radar
Input/Output Return Loss — [DATA_NEEDED: Return Loss Values]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر