TC58CYG2S0HRAIJ vs TC58CVG0S3HRAIJ مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ TC58CYG2S0HRAIJ بواسطة Kioxia و TC58CVG0S3HRAIJ بواسطة Kioxia. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Kioxia
TC58CYG2S0HRAIJ TC58CYG2S0HRAIJ - 4Gbit SLC NAND Flash SPI | Kioxia

TC58CYG2S0HRAIJ - 4Gbit SLC NAND Flash SPI | Kioxia

TC58CYG2S0HRAIJ ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل TC58CYG2S0HRAIJ TC58CVG0S3HRAIJ
العلامة التجارية Kioxia Kioxia
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة Non-volatile FLASH - NAND (SLC) Non-Volatile NAND Flash (SLC)
Memory Format SLC NAND —
حجم الذاكرة 4 Gbit (512 MByte) 1 Gbit (128 MB)
نوع الواجهة Serial SPI (Standard / Dual / Quad SPI) Serial SPI (also supports dual/quad SPI per datasheet)
Maximum SPI Clock Frequency 133 MHz —
Supply Voltage VCC 1.8 V (single supply) —
Page Size 4096 + 128 bytes (with internal ECC) 2048 + 64 bytes (data + spare)
Typical Page Read Time 300 microseconds —
Block Size Erase operations on block units (per datasheet cell layout) 64 pages
Internal ECC Yes (on-die, 128-byte redundancy segments) —
العلبة 8-WSON (6 mm x 8 mm) with Exposed Pad 8-WSON (6x8 mm)
عدد الأطراف 8 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
حالة RoHS Compliant (per distributor listings) Compliant (RoHS3 per manufacturer cross-reference)
Memory Organization — (2048 + 64) bytes x 64 pages x 1024 blocks
Maximum SPI Clock — 133 MHz
Data Buffer — 2112 bytes
Data Width — x8 (serial interface)
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V (typical 3.3 V)
Page Read Time — 180 µs (typical, per DigiKey listing)
Technology — SLC NAND
درجة حرارة التشغيل — -40C to +85C (industrial)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر