UCC21550 vs UCC21540 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ UCC21550 بواسطة Texas Instruments و UCC21540 بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
UCC21550 UCC21550 - 4A/6A 5kVrms Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550 - 4A/6A 5kVrms Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل UCC21550 UCC21540
العلامة التجارية Texas Instruments Texas Instruments
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
القنوات 2 (dual-channel) —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 6 A —
Isolation Rating 5000 Vrms (reinforced, UL1577) 5.7 kVRMS (reinforced)
Isolation Technology Capacitive (silicon dioxide) Capacitive coupling
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
Supported Transistors MOSFET, SiC, GaN, IGBT —
Dead Time Programmable via DT pin resistor —
UVLO Yes, on input and output supplies (A/B/C grade options) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة 16-SOIC (DW, 300 mil) SOIC-16 (DW); DWK with 3.3-mm channel spacing
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification UCC21550x-Q1 family AEC-Q100 qualified —
حالة RoHS Compliant Compliant
CMTI [DATA_NEEDED: common-mode transient immunity] —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay] —
Output Current (Peak Source) — 4 A
Output Current (Peak Sink) — 6 A
Number of Channels — 2
Secondary-Side UVLO — 8 V
Output-Side Supply Range (VDD) — 6.5 V to 18 V
Programmable Deadtime — Yes (DT pin)
Disable Pin — Yes (DIS)
Driven Devices — Power MOSFET, IGBT, GaN transistor
Channel-to-Channel Spacing (DWK) — 3.3 mm
Isolation Type — Reinforced / galvanic

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر