BSC014N04LSTATMA1 vs BSZ017NE2LS5IATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC014N04LSTATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ017NE2LS5IATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 - 40V 1.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC014N04LSTATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC014N04LSTATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC014N04LSTATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-Channel Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V 1.45 mΩ —
R DS(on) typical @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Power Dissipation (TA) 3 W 2.1 W
Power Dissipation (TC) 115 W 50 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +150°C —
প্যাকেজ PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 8 —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল MSL1 —
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (TA) — 27 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V — 1.7 mΩ
On-Resistance Test Current — 20 A
Gate-Source Voltage (VGS) Rating — ±16 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V @ 250 µA
Total Gate Charge Qg — 30 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 2000 pF @ VDS=12V
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55°C to +150°C
Series / Family — OptiMOS 5 25V

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট