BSC014N04LSTATMA1 vs BSZ017NE2LS5IATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC014N04LSTATMA1 tarafından Infineon ve BSZ017NE2LS5IATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC014N04LSTATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC014N04LSTATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-Channel Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V 1.45 mΩ —
R DS(on) typical @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Power Dissipation (TA) 3 W 2.1 W
Power Dissipation (TC) 115 W 50 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C —
Paket PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi MSL1 —
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (TA) — 27 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V — 1.7 mΩ
On-Resistance Test Current — 20 A
Gate-Source Voltage (VGS) Rating — ±16 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V @ 250 µA
Total Gate Charge Qg — 30 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 2000 pF @ VDS=12V
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +150°C
Series / Family — OptiMOS 5 25V

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin