BSC019N04LSTATMA1 vs BSC026N04LSATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC019N04LSTATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC026N04LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC019N04LSTATMA1 | BSC026N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | Trench-gate OptiMOS™ 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 161 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 28 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.9 mOhm | [DATA_NEEDED: max RDS(on)] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.7 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | 85 nC | — |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | 94 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +150 C | -55°C to +150°C |
| প্যাকেজ | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | 1 (unlimited) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 2.6 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 63 W |
| Channel Type | — | N-Channel |