BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC042NE7NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC100N10NSFGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC042NE7NS3GATMA1 | BSC100N10NSFGATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 3 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | 1 | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | — | 11.4 A |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD), Tc | — | 156 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 10 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (for rated RDS(on)) |