BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC042NE7NS3GATMA1 מאת Infineon ו BSC100N10NSFGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | BSC042NE7NS3GATMA1 | BSC100N10NSFGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 3 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| מארז | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | — | 11.4 A |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD), Tc | — | 156 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 10 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (for rated RDS(on)) |