BSC0901NSATMA1 vs BSC0901NSIATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC0901NSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC0901NSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC0901NSIATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

BSC0901NSIATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC0901NSATMA1 BSC0901NSIATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 30V —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta 28 A —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.9 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Avalanche Energy (EAS) 80 mJ —
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C -55 C to +150 C
প্যাকেজ TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
আর্দ্রতা সংবেদনশীলতার মাত্রা (MSL) 1 —
Built-in Body Diode Yes —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel with Built-in Diode —
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 2.0 mOhm typical
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.2 V max
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge nC]
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.5 W
পিন সংখ্যা — 8
MSL লেভেল — 1
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট