BSC0901NSATMA1 vs BSC0901NSIATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0901NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC0901NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0901NSATMA1 | BSC0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 30V | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 28 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 80 mJ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 69 W | 69 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55 C to +150 C |
| Paket | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm | PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) | 1 | — |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single N-Channel with Built-in Diode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 2.0 mOhm typical |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.2 V max |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge nC] |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| MSL Seviyesi | — | 1 |
| Klorürsüz | — | Yes |