BSC0902NSIATMA1 vs BSC019N04NSGATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC0902NSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC019N04NSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC0902NSIATMA1 | BSC019N04NSGATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 30V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 23 A | 30 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 2.8 mOhm | — |
| Gate Charge QG(0V..10V) | 24 nC | — |
| Output Charge QOSS | 17 nC | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Built-in Diode | Yes (single with built-in diode) | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.5 mΩ |
| RDS(on) typ at VGS=10V | — | 1.9 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 125 W |