BSC117N08NS5ATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC117N08NS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUT300N08S5N012ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC117N08NS5ATMA1 IAUT300N08S5N012ATMA2
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC117N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) max 49 A (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 11.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 50 W —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) -55 °C to +175 °C (TJ)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL লেভেল 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Family — OptiMOS™-5 80 V
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 300 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 1200 A (per datasheet, typical)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.2 mΩ
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট