BSC117N08NS5ATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC117N08NS5ATMA1 מאת Infineon ו IAUT300N08S5N012ATMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC117N08NS5ATMA1 | IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC117N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 49 A (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 11.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 50 W | — |
| מארז | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| רמת MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Product Family | — | OptiMOS™-5 80 V |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1200 A (per datasheet, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 375 W |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | — | Compliant |