BSC117N08NS5ATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC117N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon और IAUT300N08S5N012ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC117N08NS5ATMA1 | IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC117N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 49 A (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 11.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 50 W | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Product Family | — | OptiMOS™-5 80 V |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1200 A (per datasheet, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 375 W |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | — | Compliant |