BSC155N06NDATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC155N06NDATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC014N04LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC155N06NDATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC155N06NDATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Configuration | Dual N-channel MOSFET array | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 15.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 50 W | — |
| MSL লেভেল | 1 | 1 (unlimited) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Lead-Free Plating | Yes | — |
| Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs | < 0.8 | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |