BSC155N06NDATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC155N06NDATMA1 द्वारा Infineon और BSC014N04LSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC155N06NDATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC155N06NDATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Configuration | Dual N-channel MOSFET array | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 15.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 50 W | — |
| MSL स्तर | 1 | 1 (unlimited) |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Lead-Free Plating | Yes | — |
| Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs | < 0.8 | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |