BSC155N06NDATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC155N06NDATMA1 tarafından Infineon ve BSC014N04LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC155N06NDATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC155N06NDATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Configuration | Dual N-channel MOSFET array | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 15.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| Paket | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 50 W | — |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (unlimited) |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Lead-Free Plating | Yes | — |
| Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs | < 0.8 | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |